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SUD50P10-43
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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
35
20
Vishay Siliconix
Transfer Characteristics
30
V GS = 10 thru 6 V
25
20
15
10
5V
16
12
8
T A = 125 _ C
5
4V
4
25 _ C
–55 _ C
0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
0.038
On-Resistance vs. Drain Current
V GS = 10 V
7000
6000
Capacitance
C iss
0.037
5000
4000
3000
0.036
2000
0.035
1000
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
10
I D – Drain Current (A)
Gate Charge
2.3
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Junction Temperature
8
I D = 9.4 A
2.0
I D = 9.4 A
6
V DS = 50 V
V DS = 80 V
1.7
1.4
V GS = 10 V, 6 V
4
1.1
2
0
0.8
0.5
0
20
40
60
80
100
120
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q g – Total Gate Charge (nC)
Document Number: 73445
S–60311—Rev. B, 27-Feb-06
T J – Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
3
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